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长期回收内存芯片之如何打断芯片垄断
长期回收内存芯片之如何打断芯片垄断
目前在全球的消费电子市场上,存储器是名副其实的电子行业“原材料”。如果再将存储器细分,又可分为DRAM、NAND Flash与Nor Flash三种。
投资存储芯片领域1500亿美元,我国几乎表明了自给自足的决心。目前国内已有三家企业已经进入这一领域,合肥长鑫和长江存储分别在DRAM和NAND FLASH技术工艺的扩展和发展。福建晋华曾经是第三家,但由于美国商务部对其DRAM设备、器件的禁售,导致其暂陷入困境。
紫光集团是中国发展存储芯片的领头羊,成立长江存储,研发、生存NAND闪存,还有做DDR内存的紫光国微等子公司。
根据长江存储和合肥长鑫的产品发展路线图。到2020年,长江存储直接跳跃到128层3D NAND的目标,并消除从64层到128层的过程,且绕开主要NAND制造商生产的96层闪存芯片。到2021年,分别在NAND FLASH和DRAM的产品研发进度上取得突破,后者将完成17nm的研发。
存储器领域经过几十年的发展,由全球六家公司控制,分别为三星,东芝,美光,西部数据,SK海力士和英特尔。DRAM市场更加集中,只有三家公司生产几乎所有的DRAM芯片。它们分别是三星,SK海力士和美光。
反观国内,长江存储着力于NAND FLASH的生产,合肥长鑫致力于DRAM的生产。
除武汉和合肥外,我国另外三个城市也正在建设存储器工厂。同时,晋江也可能会开始DRAM生产,但是目前由于法律问题,参与其中的公司福建晋华目前处于困境。
随着国内半导体产业投入的加大,国内存储器行业也将迎来加速发展,虽然在短期内难以撼动三星、SK海士力以及镁光三足鼎立的局面,但未来凭借国内庞大的内需市场、良好的开发能力,以及具国际水准的产能,必将在全球半导体产业拥有一席之地。
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